在TI芯片SN74CB3T16210的Datasheet里面看到这么一句：Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD17

显示对JESD17感兴趣，想找来看下，额，没找到，然后又发现在不是很明白到底什么是latch-up... 好吧，先找找Latch-up是怎么回事。

lathch-up的一般叫法是闩锁效应，wiki的英文解释是：a term used in the realm of integrated circuits (ICs) to describe a particular type of short circuit which can occur in an improperly designed circuit（大意：在集成电路领域使用的一个名词，它描述了某些不恰当设计情况下的一种“短路”现象。）

唔， 先对它产生的原理了解下：

在CMOS晶片中，会有很多寄生的PNP、NPN的BJT， 他们可能会相互影响到，在VDD和GND间形成一个个SCR（silicon-controlled rectifier)。当ESD或者是干扰等到来时，SCR被触发，从而在VCC和GND间形成一个低阻通路，即上文提及的“短路”。这里产生的大电流，足以对晶片造成不可恢复的损伤。

 

好了，暂时不需要了解实现的问题，知道what和why就行，how到用的时候再了解。